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FEI XL 800 聚焦离子束显微镜（Focused Ion Beam，FIB）搭载镓液态金属离子源（Ga-LMIS），面向半导体失效分析（Failure Analysis）、TEM 样品制备、微纳刻蚀加工。离子束加速电压区间 2kV–30kV，离子束分辨率 7nm@30kV；束流覆盖 1pA 至 65nA，可适配精细成像与大区域铣削。设备标配气体注入系统（GIS），支持铂（Pt）沉积、碳沉积工艺，满足半导体线路修补需求。样品台支持多规格晶圆与器件样品，具备倾斜旋转功能，兼容截面剖切与三维重构观测。

针对二手机型，标准化保养方案如下：持续管控机房温湿度 20–25℃、相对湿度 40%–60%，隔绝振动干扰；每日监控真空系统真空度，定期更换机械泵油、真空滤芯，排查腔体密封泄漏；每次实验后清理样品室铣削残渣，避免腔体污染；周期性校验离子束像散、聚焦参数，监测 Ga 离子源发射稳定性；闲置设备需保持真空待机，禁止长期暴露大气。定期检测 GIS 管路，防止气体堵塞、泄漏，保障沉积工艺稳定性。

海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。

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