二手应用材料300mm ASP ETCH CHAMBER AC DIST.BOX 蚀刻机腔体技术规格详解
作者:
海翔科技
作者机构:
海翔科技
发表时间:
2026-08-05

#半导体

该 AC DIST.BOX(AC Distribution Box,交流配电分配箱)为 300mm ASP ETCH CHAMBER(ASP 刻蚀工艺腔体)专属供电配套单元,适配 Centura 平台 300mm 硅晶圆干法等离子刻蚀制程。电气输入规格为三相 380V-480V AC、50/60Hz,整机额定功率 15kVA,内置 8 路独立交流输出通道,单通道额定最大输出电流 30A;内置 EMI 滤波电路,满载工况电压波动控制≤±0.3%,故障保护响应时长<8ms,平均无故障工作时长 MTBF≥12000h,适配洁净室 Class 1 环境,稳定工作温湿度区间 10℃-40℃、相对湿度 10% RH-90% RH 无凝露状态。配套 ASP 刻蚀腔体本体适配标准 300mm Wafer(硅晶圆),搭载 ESC(Electrostatic Chuck,静电吸盘)承载结构,兼容 Cl₂、BCl₃、O₂等金属、介质刻蚀工艺气体,腔体本体铝合金真空腔体结构,腔壁温控最高 60℃,前级干式真空泵抽气速率 110m³/h,次级磁悬浮分子泵抽速 1600L/s,满足刻蚀制程高真空工艺环境要求。

该 AC DIST.BOX(AC Distribution Box,交流配电分配箱)为 300mm ASP ETCH CHAMBER(ASP 刻蚀工艺腔体)专属供电配套单元,适配 Centura 平台 300mm 硅晶圆干法等离子刻蚀制程。电气输入规格为三相 380V-480V AC、50/60Hz,整机额定功率 15kVA,内置 8 路独立交流输出通道,单通道额定最大输出电流 30A;内置 EMI 滤波电路,满载工况电压波动控制≤±0.3%,故障保护响应时长<8ms,平均无故障工作时长 MTBF≥12000h,适配洁净室 Class 1 环境,稳定工作温湿度区间 10℃-40℃、相对湿度 10% RH-90% RH 无凝露状态。配套 ASP 刻蚀腔体本体适配标准 300mm Wafer(硅晶圆),搭载 ESC(Electrostatic Chuck,静电吸盘)承载结构,兼容 Cl₂、BCl₃、O₂等金属、介质刻蚀工艺气体,腔体本体铝合金真空腔体结构,腔壁温控最高 60℃,前级干式真空泵抽气速率 110m³/h,次级磁悬浮分子泵抽速 1600L/s,满足刻蚀制程高真空工艺环境要求。

二手设备日常保养要点:定期拆解清洁配电箱内部积尘与接线端子氧化层,每季度校验过压 OVP、过流 OCP 保护模块;腔体侧需周期性湿法清洗腔体内壁沉积副产物,检测 ESC 绝缘阻抗,每月校准配电输出电压精度,避免电压漂移造成等离子体放电异常;长期停机需通入干燥 N₂(氮气)密封保压,防止内部元器件受潮腐蚀。


 

二手应用材料300mm ASP ETCH CHAMBER AC DIST.BOX 蚀刻机腔体技术规格详解

 

二手应用材料300mm ASP ETCH CHAMBER AC DIST.BOX 蚀刻机腔体技术规格详解

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