该款 Heating Platen 适配 PRSE 系列沉积工艺腔体，面向 8 英寸 Wafer（晶圆）CVD、PVD 薄膜沉积制程，采用多分区独立控温结构，内置 RTD（电阻式温度检测器）测温模组，全域温控区间 40℃~450℃，单点温控精度 ±0.1℃，台面全域温度均匀性控制在 ±0.5℃以内，满足洁净室 Class 1 制程环境运行标准。基材选用高纯铝合金基底搭配耐等离子防护涂层，耐受刻蚀工艺腐蚀性工艺气体冲刷，设计 MTBF（平均无故障工作时长）大于 100000 小时，集成 Vacuum Chuck（真空吸附）微孔结构，负压吸附稳定性可固定晶圆无偏移翘曲，供电适配设备本体三相工业供电制式，内置过热熔断保护模块，规避局部热击穿故障。
二手设备保养规范
日常运维需遵循原厂 PM（预防性维护）标准，每次开腔作业冷却至常温后，采用电子级 IPA（异丙醇）浸润专用无尘擦拭布轻柔擦拭台面，禁止硬质工具剐蹭防护涂层；每 30 天吹扫真空吸附微孔，清理工艺薄膜沉积杂质；每 90 天执行一次等离子体深度除膜清洁；每 6 个月校准 RTD 测温组件，修正温度反馈漂移偏差；定期核查接线端子绝缘性与水冷循环管路密封性，杜绝渗漏、线路氧化松动问题，闲置存放需置于恒温干燥洁净仓，加装防尘密封防护。
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