该腔体依托 TCP（Transformer Coupled Plasma，感应耦合等离子体）架构，原生适配 300mm（12-inch）晶圆量产加工，适配 SiO₂、低 k 介质、Al 金属层干法蚀刻工艺，适配 90nm 至 28nm 制程节点。电气输入规格为 208VAC±10%，供电频率 50/60Hz，三相供电满载额定电流 272A，短时短路耐受容量 10kA@230V。射频系统搭载 60MHz 上层 TCP 射频与 2MHz 下层偏置双频 RF 模组，独立调控等离子体密度与离子轰击能量，晶圆内刻蚀均匀性 3σ 数值低于 3%，介质对光刻胶刻蚀选择性大于 50:1，集群架构下单腔体稳态产能 80~120WPH（Wafer Per Hour）。腔体内部衬套选用 YSZ（Yttria-Stabilized Zirconia，钇稳定氧化锆）防护涂层电极，耐受连续等离子体侵蚀时长约 2000h，工艺腔体极限承压真空度可至 1×10⁻⁷Torr，支持 Cl₂、BCl₃、CF₄主流蚀刻工艺气体精准配比供给。整机单腔故障平均修复时长 MTTR＜30min，设备综合利用率稳态可超 95%。
二手腔体标准化保养方案：日常班次作业结束后通入 Ar 惰性气体吹扫腔体残留腐蚀性废气，无尘布搭配 IPA 擦拭腔壁观察窗松散沉积物；每周执行 O₂等离子体干法清洗，分解腔壁附着聚合物副产物；每月拆解喷淋头、密封圈等易损件点检；每半年开展腔体湿式拆解清洗，更换老化 O 型圈、陶瓷内衬等消耗件，同步校准 Baratron 真空压力传感器与 RF 功率输出精度，规避真空泄漏、等离子体跳变、晶圆颗粒污染问题，保障二手腔体工艺稳定性。
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