该组件为半导体设备内部 heater platen（加热盘），适配 200mm wafer（200 毫米晶圆）工艺腔体，属于 wafer substrate support（晶圆基底支撑）核心部件，采用 aluminum base（铝基材）内置多区电阻加热回路，集成 embedded thermocouple（嵌入式热电偶）采集温度信号，适配 plasma process（等离子体工艺）真空腔体工况。工作温度区间覆盖室温至 450℃，分区控温模式下 wafer surface temperature uniformity（晶圆表面温度均匀性）可维持在 ±3℃，适配 CVD、Etch 工艺制程，腔体工作真空区间可达 1×10⁻⁶Torr，具备耐等离子体轰击的表面防护层。
二手保养方法：拆解后在 clean room（洁净室）完成外观检查，检测 heater resistance（加热电阻）阻值是否在原厂公差区间；对 thermocouple（热电偶）通路做通断校验；使用半导体专用溶剂清除表面 process residue（工艺残留物），禁止硬质工具刮伤防护表层；检查水冷流道无堵塞、渗漏；完成温度校准测试，电阻异常、表层出现深度剥蚀的部件不可上机使用，全程保持无尘操作。
海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。
免责声明（Disclaimer）
一、内容溯源与适用范围（Source & Scope of Application）
本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据，均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件，仅用于技术研究、方案对比及行业参考，不作任何商业用途。
二、内容效力与权责界定（Validity & Liability Definition）
本文观点与结论为通用技术参考，非设备原厂官方定论，不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据，未经原厂实测核验，不得用于项目验收、举证追责。
三、风险承担与合规说明（Risk Assumption & Compliance Statement）
使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任，由使用者自行承担，本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议，将及时核实整改。