该部件为蚀刻设备（Etcher）核心静电吸盘（Electrostatic Chuck，ESC），适配泛林对应工艺腔体，采用库伦吸附（Coulomb‑type）工作原理，用于晶圆（Wafer）真空工况下夹持与热传导，配置氦气背冷（He back‑side cooling）气路结构，实现晶圆温度调控。

陶瓷承载面为氧化铝陶瓷介质层，适配标准 8 英寸晶圆，具备多组背冷通气孔（Gas hole），腔体工作环境为高真空（High‑vacuum），可承受等离子体（Plasma）工艺环境冲击。电气端支持高压吸附供电，绝缘层需维持高绝缘阻抗，工作时依靠背侧氦气实现晶圆热交换，控制晶圆温度均匀性，抑制刻蚀（Etch）温差偏移。

二手状态下，需重点开展保养维护，作业需在洁净室（Clean room）环境完成，禁止硬物磕碰陶瓷工作面。定期检测绝缘电阻（Insulation resistance），排查陶瓷层裂纹、凹坑、等离子体刻蚀损伤；清理表面工艺沉积物，疏通背冷通气微孔，防止颗粒（Particle）堵塞引发氦气背压异常；测试吸附电压、吸附释放动作，校验残余吸附力（Residual clamping force），避免晶圆脱附异常；同时检查密封件、电极接口，防止漏气与电气接触不良，完成后做真空模拟测试，确认功能完整性。

海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。

免责声明（Disclaimer）

一、内容溯源与适用范围（Source & Scope of Application）

本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据，均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件，仅用于技术研究、方案对比及行业参考，不作任何商业用途。

二、内容效力与权责界定（Validity & Liability Definition）

本文观点与结论为通用技术参考，非设备原厂官方定论，不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据，未经原厂实测核验，不得用于项目验收、举证追责。

三、风险承担与合规说明（Risk Assumption & Compliance Statement）

使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任，由使用者自行承担，本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议，将及时核实整改。