该加热盘（Heated ESC Chuck）适配刻蚀工艺腔体，用于 300mm Wafer 承载与温控，基材采用 Al₂O₃陶瓷基体，内置多区加热回路与 RTD 温度传感单元，工作温度区间覆盖 40‑450℃，温度均匀性控制在 ±1.5℃以内，支持 Johnson‑Rahbek 静电吸附模式，直流吸附工作电压最高可达 850V，集成 He 背压导热气路，实现晶圆背面热传导，适配 High‑Vacuum 高真空工况，可承受等离子体 Plasma 环境的离子轰击，射频 RF 偏压通路集成于盘体基座，绝缘层具备优异耐介电击穿性能，配置水冷 Cooling 流道实现快速热交换，实现升温、降温响应的工艺匹配。
二手保养方法：拆装作业需在 Class‑100 洁净室（Cleanroom）完成，禁止触碰陶瓷工作面；定期检测绝缘阻抗 Insulation Resistance，排查表面等离子体腐蚀、微裂纹缺陷；采用半导体专用无尘溶剂清除表面聚合物沉积物，不可机械打磨陶瓷层；检查 He 气路通路有无堵塞，密封圈 Seal 做老化评估；闲置状态下做好防尘防护，通入干燥高纯氮气保存；对 RTD 传感回路做导通校验，检修后完成真空及高压吸附性能复测。
海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。
免责声明（Disclaimer）
一、内容溯源与适用范围（Source & Scope of Application）
本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据，均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件，仅用于技术研究、方案对比及行业参考，不作任何商业用途。
二、内容效力与权责界定（Validity & Liability Definition）
本文观点与结论为通用技术参考，非设备原厂官方定论，不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据，未经原厂实测核验，不得用于项目验收、举证追责。
三、风险承担与合规说明（Risk Assumption & Compliance Statement）
使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任，由使用者自行承担，本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议，将及时核实整改。