TRION PHANTOM 属于反应离子刻蚀机（RIE‑ICP，Reactive Ion Etching‑Inductively Coupled Plasma），适配最大 300mm 晶圆（Wafer），支持碎片、载片盘装载，面向 MEMS、化合物半导体、光电器件工艺试制与小批量加工。整机最多配置 7 路工艺气体通路，兼容氟基、氧基工艺，可刻蚀硅（Si）、氧化硅（SiO₂）、氮化硅（Si₃N₄）、聚酰亚胺（Polyimide）等材料，同时具备光刻胶（Photoresist）去胶能力，可选配 ICP 等离子源、静电吸盘（E‑chuck）与光学发射光谱终点检测（OES End‑point Detection）模块，片内刻蚀均匀性可达 2%。真空单元搭载分子泵（Turbo‑Molecular Pump）与机械前级泵，实现工艺腔高真空环境，射频（RF）系统提供等离子体激发能量，支持多组射频功率参数调试，设备整体占地紧凑，适合实验室与中试产线场景。
二手设备保养方面，日常作业后擦拭腔室观察窗与操作面板；每周断电降温后清理腔室电极、气体分配盘的工艺聚合物残留，检查密封圈（O‑ring）有无老化形变；每 3‑6 个月开展深度腔体清洗，核验气路（Gas Manifold）管路密封性，更换真空泵油与滤芯，校验射频匹配器（RF‑Matcher）工作状态；闲置状态保持腔体干燥，避免水汽、微粒污染，复机前完成真空漏率测试，降低刻蚀工艺漂移风险。
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