该 Electrostatic Chuck（ESC）为 Johnson‑Rahbek 型静电吸盘，适配 200mm Wafer 工艺制程，氮化铝 AlN 陶瓷上表面，集成内置电阻式加热组件，工作温度区间为室温至 400℃，晶圆表面温度均匀性控制在 ±1.2℃以内，支持背侧 Helium 导热冷却，氦气压力调节区间 0‑12Torr。吸附直流 Clamping Voltage 工作区间 0‑2200V DC，稳态漏电流 Leakage Current 控制在 8nA 以内，适配 Plasma Etch、PVD 工艺腔体，可兼容 RF 偏置工况，整体可承受高真空 UHV 腔体环境，陶瓷工作面粗糙度 Ra＜1.0μm，具备半导体工艺所要求的低颗粒生成特性。
二手保养方法：维护作业需在 Class‑1000 洁净车间内开展，陶瓷 Chuck 表面禁止硬质接触，使用专用无尘溶剂完成表面 Particle 清除；定期检测绝缘阻抗 Insulation Impedance、电极漏电指标；检查 He 气通路有无堵塞、密封圈老化失效；校验加热回路热电偶 Thermocouple 信号精度；完成吸附力、温度均匀性复测，确认脱卡 De‑chuck 功能正常，闲置做好真空接口防尘防护。
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