本型号为 Focused Ion Beam (FIB) 聚焦离子束专用集成高压电源，适配半导体 FIB‑Column 离子枪控制系统，具备多路浮地输出。

设备输入为 + 24Vdc，输入容差 ±5%，最大输入电流 5.5A，1 秒内浪涌电流小于 6A。加速器输出 Acceleration Voltage 最高 35kV，额定输出电流 30μA；配置浮地 Filament 灯丝、Extractor 提取极、Suppressor 抑制极多路输出，配套 Lens 镜头模块最高输出 30kV，支持固定 / 可逆极性切换。整机采用 Fiber‑Optic 光纤接口通讯，搭载硬件式高压安全互锁 Safety Interlock，输出具备超低纹波、高电压稳定度，满足离子束刻蚀 (Ion Beam Etching)、沉积 (Deposition) 工况需求，为 19 英寸机架式 (19” Rack Mount) 安装结构。

环境参数：正常工作环境温度 + 10℃\+45℃，0℃可工作但需延长预热时间；存储温度‑20℃\+60℃，相对湿度 0‑80% RH，无凝露，满功率工作海拔上限 2000m。

二手保养方面，断电充分放电后，定期清理风道、散热模组积尘，检查 Cooling Fan 风扇工况；紧固全部高压连接器、接线端子，排查 PCB 板电容有无鼓包漏液；每周期校验输出电压、电流精度，测试 OVP/OCP 保护功能；长期闲置需每月短时通电驱潮，禁止带尘、凝露环境上电，高压部件禁止非专业拆解。

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