ALPHA-303i-K为东京电子（TOKYO ELECTRON, TEL）量产级垂直式高温扩散炉（Vertical Diffusion Furnace），广泛应用于半导体晶圆（Wafer）氧化（Oxidation）、扩散（Diffusion）、退火（Annealing）及薄膜沉积（Thin Film Deposition）制程，是成熟的8英寸晶圆热处理核心设备。
设备核心性能参数真实可溯源：设备工作温度区间400℃–1200℃，稳态温控精度±0.1℃，炉膛温场均匀性±1℃，搭载TEL Balance™闭环控制系统（Closed-Loop Control System），可精准调控制程温度、气压、气体流量及膜厚参数。设备单批次最大可承载100片晶圆，配备晶圆光学缺口对位（Optical Notch Alignment）与前端统一晶圆传送舱（FOUP）接口，适配自动化量产制程。设备支持高纯氮气（N₂）、氩气（Ar）、氢气（H₂）工艺气氛切换，满足氧化、还原多类热处理工况。
二手设备日常保养需遵循原厂规范：定期校验温度传感器（Temperature Sensor）与温控模块，规避温场偏移；每周清洁炉管（Furnace Tube）石英构件，去除制程残留杂质；常态化检测气路密封性与气体流量控制器（MFC）精度，杜绝漏气、流量偏差；定期更新系统制程配方参数，保障设备运行稳定性与工艺重复性。
海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。
免责声明（Disclaimer）
一、内容溯源与适用范围（Source & Scope of Application）
本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据，均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件，仅用于技术研究、方案对比及行业参考，不作任何商业用途。
二、内容效力与权责界定（Validity & Liability Definition）
本文观点与结论为通用技术参考，非设备原厂官方定论，不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据，未经原厂实测核验，不得用于项目验收、举证追责。
三、风险承担与合规说明（Risk Assumption & Compliance Statement）
使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任，由使用者自行承担，本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议，将及时核实整改。