该件为半导体工艺腔（Process Chamber）内部晶圆基座加热盘（Heater Pedestal），适配 200 mm 晶圆（Wafer），属于 Centura 平台配套零部件，REV07 为硬件修订版本，用于薄膜沉积（Deposition）、刻蚀（Etch）类工艺的晶圆温控承载。工作电压为 208VAC，额定加热功率 1850W，内置多组热电偶（Thermocouple）实现分区测温，工作温度区间为室温至 450℃，工艺温度均匀性指标≤±1.0℃，基座基材采用铝合金基材，表面具备抗等离子体（Plasma）防护涂层，平面度满足 200mm 晶圆真空吸附（Vacuum Chuck）装配要求，绝缘阻抗大于 10MΩ@500VDC，适配高真空（High Vacuum）腔体作业环境，部件集成冷却流道接口，支持热交换控温。
二手设备保养方面，拆机后优先执行等离子体残留污染物（Process Residue）清洁，禁止硬质工具刮伤承载面涂层；检测热电偶（Thermocouple）通路电阻，排查线束老化、绝缘层破损；开展绝缘耐压测试确认绝缘性能；检查冷却流道无堵塞渗漏；存储环境需控制温湿度，避免潮湿氧化，装配前完成颗粒度（Particle）检测。
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