该组件为半导体真空腔体内部 Heater Platen（加热盘），适配 200mm Wafer（晶圆）工艺平台，多用于 PVD、Etch（刻蚀）腔体，采用 AlN（氮化铝）陶瓷基材，具备优良等离子体耐受性能，适配真空制程环境。工作电压适配机台 208V 交流供电，内置多区加热回路，集成 Thermocouple（热电偶）测温点位，用于 Closed‑loop Temperature Control（闭环温度控制），工艺工作温度区间覆盖室温至 450℃，盘面温度均匀性满足量产工艺要求，背部设置 He（氦气）背冷导热通道，实现晶圆热交换，本体适配真空密封安装接口，满足高真空腔体运行工况。

二手设备保养方面，拆机后首先检测 Heater Circuit（加热回路）直流电阻与绝缘电阻，排查热循环造成的内部线路疲劳损伤；清洁 Platen 盘面等离子体沉积物，禁止硬质刮擦损伤陶瓷表层；校验 Thermocouple 测温偏差，检查氦气背冷通道无堵塞；完成真空检漏，确认密封界面无微漏；存放需处于干燥无尘环境，规避受潮引发绝缘性能衰减，上机前完成全项电性与热态测试。

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