CAR412 属于电容耦合等离子体（CCP, Capacitively Coupled Plasma）蚀刻腔体，适配 200mm 晶圆（Wafer）干法蚀刻（Dry Etch）工艺，用于介质层（Dielectric）、多晶硅（Poly-Si）薄膜刻蚀。腔体基础真空本底可达 1×10⁻⁷ Torr 级别，工艺压力区间维持 10mTorr 至 100mTorr，上电极射频（RF）电源频率 13.56MHz，下电极配备偏置射频源，支持独立偏压调控，实现蚀刻速率（Etch Rate）与选择比（Selectivity）解耦控制。腔体内部采用阳极氧化铝基材搭配等离子体喷涂防护涂层，降低颗粒（Particle）产生，晶圆卡盘（Electrostatic Chuck, ESC）支持温度控制，控温范围 20℃至 80℃，静电吸附电压可调。气体分配系统（Gas Distribution Manifold）支持多路工艺气体独立流量控制，质量流量控制器（MFC, Mass Flow Controller）精度满量程 ±1%。
二手腔体保养方面，需定期开展腔体开盖湿式清洁（Wet Clean），去除侧壁聚合物（Polymer）沉积；每批次检修密封圈（O-ring），检查 ESC 绝缘层有无针孔损伤；真空检漏确认漏率，对涡轮分子泵（Turbo Molecular Pump）进行定期保养；保存腔体压力、RF 阻抗、颗粒检测历史数据，评估腔体老化状态，更换老化的隔离阀与喷淋头（Showerhead）组件。
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