性能参数方面，主轴转速最高 8000rpm，单次研磨深度可达 300μm，最终表面粗糙度 Ra≤0.7nm，300mm 晶圆全局平面度控制在 10-20nm。产能方面，平行模式每小时可处理 600 片晶圆，支持氧化物层（ILD）、浅沟槽隔离（STI）、铜（Cu）等多种工艺制程。设备兼容 SEMI-S2/CE 标准，搭载 SECS/GEM 通信协议，可选配研磨终点监测（Endpoint Monitor）与在线膜厚测量（In-line Thickness Monitor）模块。
二手设备保养需规范执行：每日清洁研磨垫（Polishing Pad）与抛光液（Slurry）管路，防止颗粒污染；每周检查主轴轴承润滑状态，补充锂基润滑脂；每月校准研磨头压力与平台平整度，确保加工精度；每季度更换清洗单元滤芯，校验电气控制系统稳定性，避免因老化引发故障。
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