NT333™属于半批量原子层沉积系统（Semi-batch ALD System），适配 300mm（12 英寸）晶圆制程，搭载 2 套工艺腔室（Process Chamber），单腔单次可处理 6 片晶圆，整机最大同时载片量 12 片，支持热式（Thermal）、等离子增强式（Plasma）双反应模式运行東京エレクトロン株式会社。设备采用空间式 ALD 架构，晶圆载台每旋转一周即可完整完成单次 ALD 循环，内置专属等离子屏蔽结构（Plasma Shield），大幅降低等离子损伤（Plasma Damage），高深宽比结构台阶覆盖率（Step Coverage）指标优异，薄膜应力（Film Stress）可连续可调，兼容低温成膜工艺，760℃热式 ALD 氧化膜成膜均匀性可控，DHF 湿法蚀刻量波动区间稳定，薄膜厚度纳米级精准管控Tokyo Electron Ltd.。整机集成独立前驱体气路输送单元、ICP 感应耦合等离子体激励模块、真空压力闭环控制系统，可在单次 ALD 循环内嵌预处理、后处理工序，产能优于单片式沉积设备。
针对二手机型保养，真空腔体（Vacuum Chamber）每季度开展等离子体原位清洁（In-situ Clean），更换 O 型密封圈、进气过滤器等易耗件；晶圆旋转载台定期校准转速同轴度，避免片间膜厚偏差；气路管路逐段检漏，杜绝前驱体泄漏污染；控制系统每月校验温度、压强、气体流量传感器零点，备份设备工艺配方程序；水冷机组（Chiller）定期更换冷却液，保障腔体温场稳定；闲置封存时通入高纯氮气正压保护腔体，抑制内壁氧化、颗粒物附着。
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