二手东京电子 TEL/TOKYO ELECTRON CLEAN TRACK 涂胶显影机技术规格详解
作者:
海翔科技
作者机构:
海翔科技
发表时间:
2026-06-13

#半导体

CLEAN TRACK 为 200/300mm 晶圆(Wafer)光刻工艺专用涂胶显影设备,主流型号含 ACT™12 与 LITHIUS Pro™Z,适配 10nm 及以上制程。设备采用模块化架构,集成旋涂(Spin Coating)、软烘(Soft Bake)、显影(Development)、硬烘(Hard Bake)单元,支持 i-line、KrF、DUV 光刻工艺。旋涂转速 100–9999rpm,分辨率 1rpm,光刻胶膜厚均匀性误差≤±1.0%,边缘 bead 去除精度稳定。烘烤温度 25–220℃,控温精度 ±0.05℃,适配正 / 负性光刻胶与 SOG/SOD 材料。设备产能 inline 模式达 120 片 / 小时,搭载 SECS/GEM 协议,兼容 FOUP 载具与 FIMS 传输系统,配置 ULPA 化学过滤器与在线微粒监测模块。

CLEAN TRACK 为 200/300mm 晶圆(Wafer)光刻工艺专用涂胶显影设备,主流型号含 ACT™12 与 LITHIUS Pro™Z,适配 10nm 及以上制程。设备采用模块化架构,集成旋涂(Spin Coating)、软烘(Soft Bake)、显影(Development)、硬烘(Hard Bake)单元,支持 i-line、KrF、DUV 光刻工艺。旋涂转速 100–9999rpm,分辨率 1rpm,光刻胶膜厚均匀性误差≤±1.0%,边缘 bead 去除精度稳定。烘烤温度 25–220℃,控温精度 ±0.05℃,适配正 / 负性光刻胶与 SOG/SOD 材料。设备产能 inline 模式达 120 片 / 小时,搭载 SECS/GEM 协议,兼容 FOUP 载具与 FIMS 传输系统,配置 ULPA 化学过滤器与在线微粒监测模块。

二手设备保养需规范执行:每日清洁旋涂腔与化学管路,清除光刻胶残留;每周检查机械臂定位精度(≤±0.08mm),校准转速与温度传感器;每月更换化学滤芯与密封件,校验 MFC 流量与显影液浓度;每季度执行腔体湿法清洗,排查电气连接与真空泄漏,保障制程稳定性。

来源合规声明:以下技术参数源自东京电子(TEL)官网及公开招标信息,仅供技术交流,不做商业用途。



二手东京电子 TEL/TOKYO ELECTRON CLEAN TRACK 涂胶显影机技术规格详解

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