HITACHI FB-2000A 为单束聚焦离子束设备（Single Beam FIB，Focused Ion Beam），搭载液态金属镓离子源（LMIS, Liquid Metal Ion Source），半导体领域多用于晶圆截面切割、TEM 样品制备、微纳刻蚀（Nanoscale Milling）。离子加速电压固定 30kV，二次离子成像（SIM, Secondary Ion Microscopy）分辨率 10nm，成像放大倍率区间 200× 至 50000×，离子枪提取稳定电流区间 3.2μA-3.4μA。设备侧入式样品台（Side Entry Stage）工作距离恒定 15mm，样品台倾斜角度 - 4°~+60°，支持 360° 全域旋转；适配 φ15mm、φ25mm、φ37mm 圆形载台与 TEM 专用夹持台，最大可承载 φ100mm、厚度 23mm 半导体晶圆试样。整机配套 Unix 工作站与微加工 CAD 控制系统，支持原位透射样品制备（In-situ TEM Lamella Fabrication）与图形化离子束刻蚀。
二手设备专项保养规范：环境恒温 18-25℃、湿度≤60% RH，配备 UPS 稳压与防震基座；每日监控机械泵、分子泵真空度，每半年更换机械泵油，每月用高纯氮气吹扫离子镜筒、二次电子探测器（SE Detector），清除镓金属溅射残渣；每次加工结束后无水乙醇擦拭样品台与腔室密封圈，季度氦质谱检漏；闲置重启前低电流预热 2h，完成离子枪像散校正、分辨率校准，定期检测 LMIS 镓源发射稳定性，降低二手设备成像漂移、束流衰减故障概率。
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