LAM RESEARCH 2300 MWAVE STRPR腔体为300mm（12-inch Wafer）半导体专用工艺腔体，核心用于Microwave Photoresist Stripping（微波光刻胶剥离）制程，适配FEOL前段高剂量离子注入后硬光刻胶去除、牺牲层剥离等精密工艺，是成熟量产级干法等离子体处理单元。设备供电标准为208V三相交流、50/60Hz，匹配主流晶圆厂房供电体系。
腔体搭载2.45GHz标准工业Microwave Generation System（微波发生系统），配套原装Microwave Match Unit（微波匹配单元），可实现阻抗自适应调节，有效稳定等离子体分布，工艺均匀性误差控制在±2.5%以内。气路配置高精度Mass Flow Controller（MFC质量流量控制器），支持O₂、N₂、CF₄、H₂O等工艺气体精准配比，气体控制精度≤±1%，满足不同厚度光刻胶的剥离工艺需求。设备适配TMP Turbomolecular Pump（涡轮分子泵），可稳定维持10⁻⁶Torr高真空工艺环境，保障干法制程洁净度。
针对二手腔体使用特性，需执行标准化维保方案：定期开展Chamber Dry/Wet Clean（腔体干湿清洁），清除内壁聚合物沉积；每半年校准MFC流量精度与微波匹配参数，年度更换腔体密封组件与损耗配件；日常监测真空度与等离子体放电状态，长期闲置设备需定期空载预热、真空检漏，规避工艺漂移与设备老化问题，保障量产稳定性。
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