二手CREDENCE P3X-III 聚焦离子束设备技术规格详解
作者:
海翔科技
作者机构:
海翔科技
发表时间:
2026-06-16

#半导体

CREDENCE P3X-III聚焦离子束设备(Focused Ion Beam, FIB)为半导体晶圆线路修复、失效分析专用加工设备,参数全部溯源LTX-CREDENCE原厂机型白皮书、境外半导体产业园二手设备招标公示文件,数据真实可核验。设备搭载镓离子源(Ga Ion Source),离子加速电压区间1kV~30kV,束流可控范围1pA~20nA,最小束斑尺寸6nm,满足微纳线路刻蚀、沉积修补工艺;适配晶圆规格8英寸标准片,兼容最大300mm扩片作业,真空腔体(Vacuum Chamber)本底真空度可达8.2×10⁻⁷Pa,温控承载台恒温区间18℃~26℃,抑制热形变加工误差。配套原位扫描电子显微镜(In-situ SEM),实时成像分辨率4nm,支持电路编辑(Circuit Edit)、表层金属蚀刻一体化作业,设备标配自动束流校准、荷电中和(Charge Neutralization)模组,长期作业尺寸重复性精度≤8nm。

CREDENCE P3X-III聚焦离子束设备(Focused Ion Beam, FIB)为半导体晶圆线路修复、失效分析专用加工设备,参数全部溯源LTX-CREDENCE原厂机型白皮书、境外半导体产业园二手设备招标公示文件,数据真实可核验。设备搭载镓离子源(Ga Ion Source),离子加速电压区间1kV~30kV,束流可控范围1pA~20nA,最小束斑尺寸6nm,满足微纳线路刻蚀、沉积修补工艺;适配晶圆规格8英寸标准片,兼容最大300mm扩片作业,真空腔体(Vacuum Chamber)本底真空度可达8.2×10⁻⁷Pa,温控承载台恒温区间18℃~26℃,抑制热形变加工误差。配套原位扫描电子显微镜(In-situ SEM),实时成像分辨率4nm,支持电路编辑(Circuit Edit)、表层金属蚀刻一体化作业,设备标配自动束流校准、荷电中和(Charge Neutralization)模组,长期作业尺寸重复性精度≤8nm。

结合行业通用维保标准,该机型二手专项保养方法如下:季度更换离子源隔热陶瓷组件,每半年校准离子光学透镜(Ion Optical Lens)光路,年度拆解清洁腔体分子泵(Turbo Molecular Pump);闲置工况保持腔体低真空待机,避免水汽氧化极靴,二手进场需完成束斑溯源标定、真空泄漏检漏,保障加工精度达标。




二手CREDENCE P3X-III 聚焦离子束设备技术规格详解


二手CREDENCE P3X-III 聚焦离子束设备技术规格详解


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