国际电气KOKUSAI ELECTRIC DJ-1206VN-DF为量产级垂直低压力化学气相沉积系统（Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD），广泛应用于半导体晶圆（Wafer）多晶硅、氮化硅（Si₃N₄）、氧化硅（SiO₂）薄膜沉积工艺。该设备适配6/8英寸晶圆量产，工艺压力可控范围为10～500Pa，工作温度区间500～1050℃，温度均匀性偏差≤±1.5℃，可保障薄膜厚度均匀性误差控制在≤±2%，满足半导体中低端制程量产精度要求。
设备搭载垂直炉体结构（Vertical Furnace Structure）与高精度气体流量控制系统（MFC, Mass Flow Controller），气体控制精度可达±0.1sccm，腔体极限真空度≤5×10⁻⁴Pa，有效抑制工艺颗粒污染，提升薄膜沉积一致性。针对二手设备应用，需执行标准化保养：定期清洗石英腔体（Quartz Chamber）与舟具组件，排查MFC流量偏移、温控热电偶（Thermocouple）老化问题；每季度校准真空压力传感器，更换老化密封密封圈，规避漏气、温漂引发的工艺异常，保障设备稳定复用。
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