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CELLESTA 系列为 300mm（12 英寸）Single Wafer Cleaner（单晶圆清洗机），基底适配 Si Wafer（硅晶圆），覆盖 Pre-Clean、Post-Clean、Wet Etch、Post-CMP 工艺，主流机型 CELLESTA-i、CELLESTA-i MD 吞吐 650WPH（wafer per hour），CELLESTA MS2 双面同步清洗吞吐 900WPH，扩容配置最多搭载 12 组 Spinner Process Chamber（旋转工艺腔），极限产能可达 1000WPH。流体控制系统搭载 SC1、SC2、DHF (1:10)、O3 清洗模组，配套 N2 Mass Flow Controller、多通道药液浓度监测单元，药液流量仪表校准偏差≤±2%，连续运行流量波动≤±1.5%；温控模块测温温差≤±0.5℃，喷淋压力采样变异系数≤3%。硬件搭载 Dual-Fluid Spray（双流体喷淋）与 Brush 物理清洗单元，MS2 机型无需 DIW（Deionized Water）与保护氮气遮蔽晶圆背面，腔体采用 Rotational Cup 结构，排气消耗量较传统机型降低 50%；CELLESTA SCD 选配 Supercritical Dry（超临界干燥）腔室，抑制 0.1μm 以上 Fine Pattern（精细图形）塌陷，颗粒检出率≥98%。
二手设备保养分为三级维护：每日点检腔体 Seal（密封圈）、Filter 压差，压差超 0.05MPa 即刻更换滤芯；每月校准流量、压力、温度传感器，拆解喷淋 Nozzle 清除药液结晶，对 Wafer Chuck 传动轴承加注专用无尘润滑脂；季度全腔拆解清洗管路，更换老化 PTFE 管路与 O 型圈，检测 O3 Generator 尾气分解装置效能。长期闲置需排空全部药液管路，DIW 循环冲洗后高纯 N2 吹扫密封，整机存放于 Class10 洁净环境，环境温湿度恒定 22±2℃、40%-60% RH，避免管路腐蚀与流量计零点漂移，保障二手设备工艺精度接近新机标准。
合规声明：本文全部性能参数取自 TOKYO ELECTRON 官方产品页面tel.com/product/cellesta、海外设备招标公示 CAEonline 公开设备清单，仅用于行业技术交流，不作任何商业交易依据
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