本腔体适配 300mm 晶圆（300mm Wafer）介电质刻蚀（Dielectric Etch）与原子层刻蚀（ALE）工艺，腔体基础真空 Base Pressure≤1×10⁻⁷ Torr，制程工作压力 Process Pressure 区间 2–150mTorr；搭载 13.56MHz 主射频源（Main RF）最大输出功率 1200W，低频偏置射频 Bias RF 功率 0–600W 可调，采用多频约束等离子架构，片内刻蚀均匀度 Within-Wafer Uniformity≤2%。
腔体恒温静电卡盘 ESC 温控范围 20–400℃，控温精度 ±0.5℃，兼容 Cl₂、SF₆、C₂F₆、CHF₃、O₂等标准制程工艺气体，标配原位终点检测 Endpoint Detection 模组；氧化层刻蚀选择比 Selectivity to Oxide 可达 25:1，光刻胶选择比 Selectivity to Photoresist≥1.8:1，适配 3D NAND 与先进逻辑高深宽比通孔刻蚀。
二手腔体专项保养：日常每班用无尘布 + IPA 擦拭腔壁、观察窗去除聚合物沉积；每周执行 O₂等离子原位腔体清洗 Chamber Dry Clean；月度拆解内衬、聚焦环 Focus Ring 做湿法酸洗去除金属溅射残留；每季度校准 RF 匹配器 RF Matcher、真空计 Vacuum Gauge，更换密封 O 型圈；长期停机需持续抽真空防潮，定期通入惰性气体 N₂吹扫管路防颗粒污染。
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