该机型面向 Wafer 晶圆、Semiconductor Chip、SiC 衬底、OLED 面板微观缺陷检测，搭载 405nm Solid-state Laser 固态激光光源，额定输出功率 25mW，功率调节区间 0.001%-100%，功率波动稳定度≤0.8%，激光标准使用寿命 10000h；共聚焦 Pinhole 共轭针孔可调范围 0.3AU-3AU，标准工作 1AU，轴向 Z 轴分辨率 320nm，平面 XY 分辨率 110nm。扫描系统配备 Galvanometer 检流计振镜，最大成像分辨率 6144×6144 像素，512×512 像素扫描速度 14fps，Z 轴步进最小 0.01μm，载物台 X/Y 行程 120mm×120mm，适配 8 寸及以下 Wafer 样品。光学模块搭载半导体专用 5×、20×、100× 金相 Objective 物镜，NA 数值孔径最高 1.3，集成 DIC 微分干涉、Reflectance 反射成像双模式，配套 LM Inspect 缺陷检测软件，支持 AI 缺陷分类 LM Brain 模块，表面粗糙度 3D 测量精度 ±0.02μm。
二手设备专项保养方法：设备恒温 22±1℃、湿度 40%-60% RH 无尘车间存放；每次检测后用无尘镜头纸 + 无水乙醇擦拭物镜端面，氮气吹扫针孔光路；每周记录激光输出功率，衰减超 20% 需校准光路；每月润滑载物台导轨，每季度整机系统自检，长期闲置时拆除物镜存放干燥防潮柜，避免光学镀膜霉变、静电损伤 PMT 光电探测器。
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