本型号为 200mm Wafer Heater Platen（晶圆加热基座），适配 LAM 刻蚀机反应腔体，基材采用 AlN Aluminum Nitride（氮化铝陶瓷），多层分区加热结构，内置多组 Pt100 RTD Temperature Sensor（铂电阻温度传感器）。工作温区覆盖 25℃–220℃，稳态控温精度 ±0.1℃，全域温度均匀性≤±0.4℃，升温速率最高 12℃/min，真空释气率低于 10⁻⁹ Torr・L/s・cm²，适配 High Vacuum（高真空）等离子工艺环境。额定供电 208V AC，总加热功率 7.2kW，分区独立 PID 闭环调控，集成 ESC Electrostatic Chuck（静电吸附）电极回路，表面晶圆承载平面平面度≤3μm，集成真空吸附微孔阵列，适配干法 Etch（刻蚀）制程。

二手设备保养规范：每次工艺降温至常温后，采用电子级 IPA 异丙醇搭配 Class10 无尘布擦拭盘面，禁止硬质工具刮伤氮化铝涂层；每运行 200 小时开展多点温度校准，校验 RTD 传感器测温漂移；每季度万用表检测加热回路电阻，阻值偏离额定值 10% 以上需检修；每月吹扫真空微孔防止工艺颗粒物堵塞；每半年检查接线端子绝缘层，清除氟化物腐蚀积尘，存放环境保持恒温低湿，避免潮气引发陶瓷层开裂。

海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。

免责声明（Disclaimer）

一、内容溯源与适用范围（Source & Scope of Application）

本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据，均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件，仅用于技术研究、方案对比及行业参考，不作任何商业用途。

二、内容效力与权责界定（Validity & Liability Definition）

本文观点与结论为通用技术参考，非设备原厂官方定论，不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据，未经原厂实测核验，不得用于项目验收、举证追责。

三、风险承担与合规说明（Risk Assumption & Compliance Statement）

使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任，由使用者自行承担，本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议，将及时核实整改。