本机为 Cold Field Emission 冷场发射 SEM 扫描电镜，核心二次电子分辨率 1.0nm@15kV、1.4nm@1kV，放大倍率 25 倍至 1,000,000 倍连续可调；Accelerating Voltage 加速电压 0.1kV–30kV，Probe Beam 束流区间 1pA–2nA，标配 Gentle Beam 低损伤成像模式与 r-filter 电子能量筛选模块。设备搭载 SE 二次电子、BSE 背散射双探测器，可选配 EDS Energy Dispersive Spectrometer X 射线能谱仪；五轴全自动马达样品台，样品室最大容纳 200mm 晶圆试样，工作真空稳定可达 1.0×10⁻⁵Pa，配磁悬浮分子泵与离子泵双级真空系统，内置全自动物镜光阑与样品气锁置换机构，适配半导体 Wafer 形貌检测、微区成分分析制程检测场景。
二手设备分级保养规范：每日控温 22±1℃、湿度 45%-55%，使用后清理样品台碎屑；每周氮吹清洁 SE/BSE 探测器窗口，核查机械泵油位；每月更换腔体干燥剂、清洗真空密封圈并做分辨率标样校准；每半年完成电子枪 Alignment 对中、检测高压线路绝缘；年度更换机械泵油、补充分子泵润滑脂，拆解镜筒吹扫污染物，规避图像漂移、真空衰减、束流不稳等二手设备常见故障。
海翔科技 专业提供全球二手半导体设备来源
合规声明：仅供交流，不做商业用途；参数溯源 JEOL 日本电子官方产品页面、高校设备招标公示与仪器平台备案资料。
免责声明（Disclaimer）
一、内容溯源与适用范围（Source & Scope of Application）
本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据，均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件，仅用于技术研究、方案对比及行业参考，不作任何商业用途。
二、内容效力与权责界定（Validity & Liability Definition）
本文观点与结论为通用技术参考，非设备原厂官方定论，不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据，未经原厂实测核验，不得用于项目验收、举证追责。
三、风险承担与合规说明（Risk Assumption & Compliance Statement）
使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任，由使用者自行承担，本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议，将及时核实整改。