日立HITACHI QUIXACE扩散炉为300mm晶圆（Wafer）专用垂直式扩散热处理设备（Vertical Diffusion Furnace），广泛应用于半导体氧化（Oxidation）、掺杂扩散（Doping Diffusion）、薄膜沉积（Thin Film Deposition）及退火（Annealing）核心制程，设备参数具备高稳定性与量产适配性。该设备搭载三区温控系统（Three-point Zone Temperature Control System），额定工作温度区间400℃-1250℃，搭载高精度热电偶（Thermocouple）与石墨加热器（Graphite Heater），全域温场均匀性误差控制在±1℃以内，可满足精密半导体制程的温度重复性要求。

设备采用双石英管腔体（Dual Quartz Tube Chamber）结构，支持干式氧化（Dry Oxidation）、湿式氧化（Wet Oxidation）等多工艺兼容，集成独立真空单元（Vacuum Unit），可规避制程异种气体交叉污染，保障成膜均匀性与工艺良率。针对二手设备运维，核心保养方法包含：定期清洁石英腔体与管路杂质，校准温控传感器精度；常态化检测真空系统气密性，更换老化密封组件；停机闲置时采用惰性气体（Inert Gas）封存腔体，避免氧化腐蚀，保障设备长期制程稳定性与参数一致性。

该机型凭借精准温控、高适配性、低运维成本的优势，是二手半导体量产与实验室研发场景的主流热处理设备。

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