本设备为半导体薄膜表征专用 XRD（X-ray diffractometer），额定 X-ray generator 输出功率 3kW，封入式 X 射线管适配 Cu 靶 / Co 靶，管电压区间 20–60kV，管电流 2–80mA，高压稳定度 0.005%，标准焦斑 1.0mm×10mm，微焦斑可0.4mm×8mm，供电采用单相 AC220–230V 50/60Hz、40A，整机尺寸1300mm×1880mm×1880mm，净重约 750kg。测角仪为 θ/θ 垂直双编码结构，半径 300mm，2θ 扫描区间 - 10°～160°，最小步进 0.0001°，角度重现性 ±0.0001°，最大扫描速度 1500°/min；标配五轴 goniometer 样品台，Chi 轴 - 5°～95°、Phi 轴 ±360°，XY 平移 ±50mm，Z 轴 - 10mm～2mm，各轴微米级步进。半导体探测器可选 HyPix-3000 二维 HPAD 或 XSPA-400ER 一维探测器，HyPix-3000 探测面积 77.5mm×38.5mm，像素75μm×75μm，CuKα 能量分辨率优于 8%，计数率上限 2.9×10¹¹ cps，适配半导体 In-Plane 衍射、GIXRR、薄膜结晶度检测。温控附件 TTK600 真空温区 - 190℃～600℃，满足半导体低温相变测试。
二手设备专项保养：日常控制实验室温 15–25℃、湿度≤70%，置于防震台面；每次测试后用无水乙醇清洁样品台，每周擦拭入射 / 接收狭缝，每月更换循环去离子冷却水并清洗滤网；X-ray 管闲置超两周需关闭高压，重启前执行 30 分钟梯度老化；每半年完成测角仪、探测器全光路校准，每年检测安全联锁与真空腔密封；禁止触碰探测器铍窗口，故障部件交由专业人员检修，禁止私自拆解高压单元。
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