二手OKAMOTO GRIND-X GNX200 晶圆研磨机技术规格详解
作者:
海翔科技
作者机构:
海翔科技
发表时间:
2026-06-27

#半导体

本机为 200mm Wafer Back Grinder(晶圆背面减薄研磨机),适配 4/5/6/8 英寸 Silicon Wafer(硅晶圆)加工,标配双 Spindle(研磨主轴),粗磨 Rough Grind、精磨 Fine Grind 工位独立运行。主轴电机规格 2.2kW/4 极,砂轮转速区间 0–3600RPM,采用 Carbon graphite 气浮轴承 AB150R,工件载台转速 1–300RPM,研磨进给速度 1–999μm/min,砂轮外径适配标准 φ200mm 规格。设备搭载两点式 In-process Thickness Measuring(在线厚度检测),三点式主轴倾角调节机构,可稳定控制 Wafer TTV(晶圆总厚度偏差),支持全自动 Robot Load/Unload(机械手上下料)、半自动、手动三种操作模式,最大原始加工晶圆厚度 1000μm,配套封闭式研磨液循环过滤系统与安全门互锁防护装置。

本机为 200mm Wafer Back Grinder(晶圆背面减薄研磨机),适配 4/5/6/8 英寸 Silicon Wafer(硅晶圆)加工,标配双 Spindle(研磨主轴),粗磨 Rough Grind、精磨 Fine Grind 工位独立运行。主轴电机规格 2.2kW/4 极,砂轮转速区间 0–3600RPM,采用 Carbon graphite 气浮轴承 AB150R,工件载台转速 1–300RPM,研磨进给速度 1–999μm/min,砂轮外径适配标准 φ200mm 规格。设备搭载两点式 In-process Thickness Measuring(在线厚度检测),三点式主轴倾角调节机构,可稳定控制 Wafer TTV(晶圆总厚度偏差),支持全自动 Robot Load/Unload(机械手上下料)、半自动、手动三种操作模式,最大原始加工晶圆厚度 1000μm,配套封闭式研磨液循环过滤系统与安全门互锁防护装置。

二手设备保养分为分级运维:每班作业后用无尘布配合异丙醇清理 Grinding Wheel(砂轮)、Vacuum Chuck(真空吸盘)硅屑,检查研磨液洁净度;每周清理设备内部粉尘,校验真空吸附压力;每月对气浮主轴加注专用润滑介质,紧固传动机构连接件;每半年校正主轴平行度、砂轮平面度,更换老化密封滤芯;每年整机精度复测,更换老化气动管路。存放闲置二手机需清洁研磨单元并做防锈处理,切断水气电源。


 

二手OKAMOTO GRIND-X GNX200 晶圆研磨机技术规格详解

 

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