本机为 14 英寸 D 型腔体 E-Beam Magnetron Sputter 电子束磁控复合 PVD 镀膜设备，腔体采用 304 不锈钢材质，搭载 6kW 电子束蒸发源与两支 4 英寸 Magnetron Sputtering 磁控靶枪，配备 2 台 DC 直流电源、1 台 Pulsed-DC 脉冲直流电源、1 台 RF 射频电源；单靶 DC 最大功率 600W、RF 最大功率 236W，兼容金属、介质、合金薄膜沉积。真空系统搭配 Edwards 干泵、分子泵与 CTI 低温泵，极限真空 Ultimate Pressure 可达 1×10⁻⁷Torr，大气抽至 5×10⁻⁶Torr 耗时≤30 分钟，腔体漏率 5×10⁻⁵Torr・L/s。水冷旋转基片台适配≤6 英寸 Wafer，最高加热温度 600℃，旋转转速 0–20r/min 可调；石英晶振膜厚监测系统，6 英寸衬底膜厚均匀性优于 ±3%、重复精度优于 ±2%，集成多路 MFC 管控 Ar、O₂工艺气体，适配半导体微纳薄膜、器件电极镀膜制程。
二手设备分级保养规范：每日检查水冷回路压力、靶枪绝缘状态；每周氮吹清洁腔体内壁、晶振探头，校准 MFC 流量零点；每月拆解磁控靶座清理靶材溅射残渣，校验电子束灯丝发射电流；季度更换腔体氟橡胶密封件、低温泵吸附剂；年度整体高温烘烤除气，检修射频匹配器、干泵润滑油，规避真空衰减、膜厚偏差、靶源起弧故障。
海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。
来源合规声明：仅供交流，不做商业用途；参数溯源 DENTON 原厂设备手册、高校洁净室仪器公示、海外半导体设备商公开备案资料。
免责声明（Disclaimer）
一、内容溯源与适用范围（Source & Scope of Application）
本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据，均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件，仅用于技术研究、方案对比及行业参考，不作任何商业用途。
二、内容效力与权责界定（Validity & Liability Definition）
本文观点与结论为通用技术参考，非设备原厂官方定论，不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据，未经原厂实测核验，不得用于项目验收、举证追责。
三、风险承担与合规说明（Risk Assumption & Compliance Statement）
使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任，由使用者自行承担，本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议，将及时核实整改。