本型号为 Endura 平台 8 英寸（200mm）Physical Vapor Deposition（PVD）专用 Heater Pedestal（晶圆加热基座），基底基材为高纯度铝合金，表面硬质阳极氧化膜厚度 22μm，适配 200mm Wafer 标准工艺载片。额定加热功率 4200W，供电规格 AC 208V 3φ，内置 RTD（Resistance Temperature Detector）铂电阻测温组件，温控分辨率 0.1℃，稳态控温精度 ±0.3℃；工作温度区间覆盖室温至 450℃，盘面全域温度均匀性≤±1.2℃，标准升温速率 15℃/min，最大允许升温速率 22℃/min，禁止骤升骤降造成基底热形变。基座集成背吹 He（氦气）导热气路，背吹供气标准流量 5–20sccm，气路密封承压 0.4MPa，真空工况适配腔体基础真空 1×10⁻⁴Pa，可承受溅射等离子长期辐照无表层剥落。集成 RF Bias 导电回路，射频导通阻抗＜0.08Ω，绝缘层耐压 1800V AC 无击穿，内置过热熔断保护阈值 480℃，超温自动切断加热回路。
二手机型专项保养方法：每次拆机清洁使用电子级异丙醇搭配无尘布擦拭盘面溅射金属沉积层，禁用硬质刮刀划伤氧化绝缘层；每累计运行 200 小时校准 RTD 测温点位，多点红外测温核验均匀度；每月低压高纯 N₂吹扫背吹气路，清除颗粒堵塞；每季度拆解检测内部加热电阻丝氧化状态、电极端子氧化层，轻微氧化用 8000 目抛光砂纸轻磨后酒精脱脂；长期停机需置于防潮无尘仓储环境，每周短时低温烘烤 120℃除水汽，防止绝缘层受潮漏电；装机前完成 2 小时真空烘烤除气，确认漏率达标后方可投产。
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