本机台为 300mm 单片式集群 PVD（Physical Vapor Deposition）平台，搭载 SIP（Self-Ionized Plasma 自离子化等离子体）EnCoRe 工艺腔，用于 TaN 阻挡层、Cu Seed 铜籽晶层沉积，适配 45nm 至 3x 逻辑与存储 Wafer 制程。整机配置双 Load Lock 负载锁腔、分级真空 Transfer Chamber 传输腔，标配双叶片 4 轴 Wafer Transfer Robot，单次晶圆传输时长低于 1.2s，量产产能最高 70WPH（Wafers Per Hour）。本底真空≤5×10⁻⁸Torr，工艺工作压力 0.1–3mTorr，腔室兼容高纯 Ar、N₂工艺气体；E-Chuck 静电吸盘温控区间 25–200℃，控温均匀性 ±0.5℃，支持 RF 50–500W、直流靶源最高 18kW 功率输出。SIP 离子离化率超 90%，高深宽比 Via 阶梯覆盖率≥95%，膜厚均匀性 1σ≤±1%，Cu 靶使用寿命可达 30000 片晶圆，漏率控制低于 1000nTorr/min，符合 SEMI S2 洁净安全规范。整机模块化最多搭载 6 个工艺腔，支持 Aktiv Preclean 预清洁模块，抑制 Low-k 介质损伤与 CuO 氧化。
二手设备保养规范：安置 ISO Class 1 无尘车间，恒温 22±2℃、湿度 40%-60% RH；每日监测真空漏率、RF 匹配阻抗与机器人重复定位精度；每周高纯 N₂吹扫腔室内壁溅射残渣；每月拆解清洁 E-Chuck 吸盘、更换真空密封圈；每季度校准等离子体离子浓度、靶源功率，半年更换分子泵油并氦检检漏；长期停机维持低真空封存，重启前空载预热 2h 校正等离子体工艺窗口，降低薄膜均匀性漂移、颗粒缺陷风险。
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