本款为 Endura 集群 PVD 腔室专用 AlN（Aluminum Nitride 氮化铝）E-Chuck Heater 加热盘，适配 200mm Wafer，集成三区电阻加热回路与内置 RTD（Resistance Temperature Detector）测温传感器，兼容 Cu Seed、TaN 阻挡层薄膜沉积制程。整机额定供电 AC208V，总加热功率 1450W，单区功率 480W；温控区间常温至 400℃，全域温度均匀性 ΔT≤±1.2℃，RTD 测温精度 ±0.3℃，升温速率 12℃/min，降温冷却速率 8℃/min。盘面集成静电吸附电极，静电夹持电压 0–1500V 可调，吸附力稳定适配薄硅片、Compound Wafer 复合基板；基材高纯氮化铝，导热系数 175W/m・K，等离子体耐受度适配 Ar 溅射工艺，盘面平面度≤2μm，边缘漏流控制＜0.1μA，符合 SEMI S3 洁净物料标准。接口配套真空密封陶瓷引线柱，适配 1×10⁻⁷Pa 高真空工艺腔，REV.05 版本优化电极绝缘层，降低等离子体击穿概率，原厂标准使用寿命 28000 片 Wafer。
二手设备保养规范：存放恒温 20±3℃、湿度 40%-60% RH 无尘库房；每日上机前检测 RTD 测温阻值、静电吸附回路绝缘电阻；每周高纯 N₂吹扫盘面溅射金属残渣，不可使用硬质刮刀刮擦陶瓷表层；每月拆解检查引线柱密封圈，季度校准三区加热功率平衡；每半年氦质谱检漏陶瓷基座微漏，长期闲置需真空封存，重启空载升温至 300℃保温 1h 完成热循环校准，规避膜厚不均、晶圆脱吸缺陷。
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