二手应用材料 AMAT/APPLIED MATERIALS 0041-88275 加热盘技术规格详解
作者:
海翔科技
作者机构:
海翔科技
发表时间:
2026-07-02

#半导体

本型号 Heater Pedestal 适配 AMAT Endura PVD(物理气相沉积)工艺腔,兼容 200mm 硅晶圆(Wafer),主体为高纯度 AlN(氮化铝)共烧结一体化结构,集成内置 Heating Element 与 TC(Thermocouple 温度传感组件)。额定供电 AC 208V,标准运行功率 3.2kW,短时峰值功率 3.8kW;温控区间覆盖室温至 450℃,稳态控温精度 ±0.2℃,盘面全域温场均匀性控制在 ±0.4℃以内,升温速率标准工况 6℃/min,最大线性升温速率 10℃/min。盘面平面度≤0.02mm,内置 ESC(Electrostatic Chuck 静电吸附)电极,支持直流吸附稳压 0–1500V,绝缘耐压 1800V 无击穿,真空适配度可达 1×10⁻⁷ Torr,MTBF 原厂标定 100000 小时,耐卤素工艺气体腐蚀,低金属析出污染。

本型号 Heater Pedestal 适配 AMAT Endura PVD(物理气相沉积)工艺腔,兼容 200mm 硅晶圆(Wafer),主体为高纯度 AlN(氮化铝)共烧结一体化结构,集成内置 Heating Element 与 TC(Thermocouple 温度传感组件)。额定供电 AC 208V,标准运行功率 3.2kW,短时峰值功率 3.8kW;温控区间覆盖室温至 450℃,稳态控温精度 ±0.2℃,盘面全域温场均匀性控制在 ±0.4℃以内,升温速率标准工况 6℃/min,最大线性升温速率 10℃/min。盘面平面度≤0.02mm,内置 ESC(Electrostatic Chuck 静电吸附)电极,支持直流吸附稳压 0–1500V,绝缘耐压 1800V 无击穿,真空适配度可达 1×10⁻⁷ Torr,MTBF 原厂标定 100000 小时,耐卤素工艺气体腐蚀,低金属析出污染。

二手设备专项保养规范:设备降温至 40℃以下方可拆腔,仅采用电子级 IPA(异丙醇)搭配无尘布擦拭盘面,禁用硬质工具打磨陶瓷表层;每累计运行 200 小时多点 TC 温度校准,每季度检测电极绝缘阻抗;长期闲置需真空封存并放置分子筛干燥剂,升降温速率不得超原厂限值,规避热应力开裂;装配时按原厂扭矩规范锁紧接线端子,杜绝漏电、温漂故障。


二手应用材料 AMAT/APPLIED MATERIALS 0041-88275 加热盘技术规格详解

 

二手应用材料 AMAT/APPLIED MATERIALS 0041-88275 加热盘技术规格详解

海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。

 

免责声明(Disclaimer)

一、内容溯源与适用范围(Source & Scope of Application)

本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据,均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件,仅用于技术研究、方案对比及行业参考,不作任何商业用途。

二、内容效力与权责界定(Validity & Liability Definition)

本文观点与结论为通用技术参考,非设备原厂官方定论,不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据,未经原厂实测核验,不得用于项目验收、举证追责。

三、风险承担与合规说明(Risk Assumption & Compliance Statement)

使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任,由使用者自行承担,本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议,将及时核实整改。