IZA M-600为半导体行业主流Physical Vapor Deposition（PVD，物理气相沉积）真空镀膜设备，适配中小批量半导体晶圆、精密元器件薄膜沉积工艺，核心参数稳定性适配半导体微纳加工场景。设备极限真空度（Ultimate Vacuum）可达6.6×10⁻⁸Pa，工作真空度（Working Vacuum）稳定维持在1×10⁻⁵~5×10⁻⁶Pa，满足半导体薄膜沉积高真空环境要求。
设备温控系统（Temperature Control System）精准可控，样品台最高加热温度700℃，温度调节精度±1℃，搭载水冷式真空腔体（Water-cooled Vacuum Chamber），可有效抑制镀膜过程腔体温升，保障Thin Film Uniformity（薄膜均匀性），均匀误差≤±5%。样品承载适配4英寸及以下半导体基板（Substrate），样品台转速5~50r/min连续可调，升降行程30mm，可实现多角度、全方位镀膜作业。
设备材料利用率＞95%，支持Au、Cr、Ti等主流半导体镀膜靶材（Target），电子束加速电压75~500V、束电流50~300mA，镀膜速率稳定可控，适配半导体金属化、钝化层沉积工艺。
二手设备专属保养方面，需定期巡检Molecular Pump（分子泵）、机械泵运行状态，每季度清理腔体内壁杂质与镀膜残留；每月校准真空检测模块与温控传感器，保证参数精准度；长期停机需保持腔体干燥真空封存，避免水汽氧化腔体组件，延长设备服役周期。
海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。
免责声明（Disclaimer）
一、内容溯源与适用范围（Source & Scope of Application）
本文全部技术参数、结构原理、机型适配及对比数据，均源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件，仅用于技术研究、方案对比及行业参考，不作任何商业用途。
二、内容效力与权责界定（Validity & Liability Definition）
本文观点与结论为通用技术参考，非设备原厂官方定论，不构成任何商业承诺、履约标准及验收依据，未经原厂实测核验，不得用于项目验收、举证追责。
三、风险承担与合规说明（Risk Assumption & Compliance Statement）
使用者擅自套用、篡改本文内容产生的一切风险与法律责任，由使用者自行承担，本文作者及所属单位不承担任何连带责任。若存在版权及侵权异议，将及时核实