该部件为 PVD 腔体专用 Wafer Heated Pedestal（晶圆加热基座），适配 200mm 晶圆制程，基材主体为阳极氧化铝 6061，表层复合高纯度氧化铝绝缘层，内置内外双区电阻加热模组，配套双路 K 型 Thermocouple（热电偶）测温传感。温控区间覆盖 40℃至 400℃，单点控温精度 ±0.3℃，晶圆承载面温均性≤±1.2℃，单区额定加热功率 350W，双区总功率 700W，适配 DC 静电吸附 ESC（Electrostatic Chuck）直流馈电回路，集成 RF 射频屏蔽网格，真空工况耐受 1×10⁻⁷Pa 高真空环境，平面形位公差≤0.008mm，适配 AMAT P5000 系列沉积腔体。
二手件日常保养规范：每 2000 工艺片执行干式等离子腔体吹扫，清除晶圆颗粒沉积；月度拆解后采用半导体级高纯 IPA 异丙醇超声清洗承载面，禁止硬质工具刮擦绝缘陶瓷层；季度检测热电偶阻值与加热回路绝缘阻抗，绝缘值需维持≥50MΩ；停机长期存放需密封真空防潮袋，避免氧化层受潮漏电；升温操作遵循梯度升温，单次升温速率不超 10℃/min，防止热应力开裂。
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