本款为 Endura 300mm 集群 PVD 腔室专用 AlN（Aluminum Nitride 氮化铝）E-Chuck Heater 静电加热盘，适配 300mm Silicon Wafer，用于 Cu Barrier 铜阻挡层、Al 金属层薄膜沉积制程，集成四区独立电阻加热回路与内置多通道 RTD（Resistance Temperature Detector）高精度测温传感器。整机额定供电 AC208V，总加热功率 2200W，四区单区功率均分 550W；全域温控区间常温至 450℃，盘面全域温度均匀性 ΔT≤±1.0℃，单支 RTD 测温精度 ±0.2℃，标准升温速率 15℃/min，循环冷却速率 9℃/min。盘面集成多层绝缘静电吸附电极，ESC（Electrostatic Chuck）夹持电压 0–2000V 连续可调，吸附力稳定适配超薄硅片、Compound Wafer 复合半导体基板；基材高纯氮化铝导热系数 180W/m・K，耐受 Ar、N₂等离子溅射环境，盘面平面度≤1.8μm，边缘真空漏流控制＜0.08μA，符合 SEMI S3 洁净物料管控标准。真空密封陶瓷引线柱适配 1×10⁻⁸Pa 高真空工艺腔，-028 版本优化电极绝缘保护层，降低等离子体高压击穿风险，原厂标准使用寿命 32000 片 Wafer。
二手设备专项保养规范：存放环境恒温 20±3℃、湿度 40%–60% RH 无尘氮气柜，隔绝水汽腐蚀陶瓷基材；上机前逐支检测 RTD 测温阻值、四区加热回路绝缘电阻，校验 ESC 静电吸附回路耐压值；每周采用低压高纯 N₂吹扫盘面溅射金属残渣，禁止硬质刮刀刮擦氮化铝表层绝缘层；每月拆解检查陶瓷引线柱氟橡胶密封圈，季度校准四区加热功率平衡；每半年采用氦质谱检漏基座微漏，长期闲置需真空密封封存，重启空载升温至 350℃保温 1.5h 完成热循环校准，规避薄膜厚度不均、晶圆脱吸、局部温漂等制程缺陷。
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