本设备为红外加热型升温脱附质谱仪（Infrared Heating Temperature-Programmed Desorption Analyzer），适配半导体晶圆（Wafer）、IGZO 薄膜、衬底（Substrate）微量逸散气体检测。真空系统主分析腔体（Analysis Chamber）极限真空低于 5×10⁻⁷Pa，搭配负载锁腔（Load Lock Chamber）实现免破大气换样，规避水汽基底干扰；样品承载规格 15mm×15mm×4mm，适配硅片、光学薄膜小片试样。温控区间 50℃至 1200℃，短时峰值可达 1300℃，程序升温速率 1–180℃/min 连续可调，红外石英棒定向加热仅升温样品，腔体无热释杂气基底。搭载四级杆质谱检测器（QMS），质荷比扫描范围 m/z 1–200，氩气检测灵敏度 1×10¹¹Ar/s（信噪比 S/N=3），可定量 H₂、H₂O、CO₂、O₂等半导体制程杂质气体，配套 TDS measurement、Data Viewer 专业分析软件，支持 NIST 标准氢样品溯源校准。
二手设备分级保养规范：每日开机前核查真空机组压力、气路氦检检漏；每月更换腔体全氟醚密封 O 型圈，校准 Pt100 温度传感器，温差偏差控制 ±2℃内；每季度高温烘烤腔体去除吸附残留，清洁质谱电离室；年度校准 QMS 检测灵敏度，检修红外加热光源传输通路。闲置设备需保持腔体低真空封存，隔绝大气水汽污染，降低质谱基线噪声。
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