该腔体适配 300mm 晶圆，搭载 HCM（Hollow Cathode Magnetron，中空阴极磁控）离子化 PVD 架构，面向铜互连 Cu Seed（铜晶种层）工艺，工艺节点覆盖 32nm 及以下逻辑存储器件制程。腔体基准工作压力区间 0.1–0.4mTorr，依托多组 EM Coils（电磁线圈）独立调控靶区与晶圆面磁场分布，提升金属离子占比，优化高深宽比结构 Step Coverage（台阶覆盖），抑制薄膜 Overhang（悬突）。腔体标配 Cu（铜）靶材溅射源，支持 Cu 自溅射工艺，靶材标准使用寿命可达 10000kW・h 级别；可实现无空洞电镀前铜晶种层沉积，兼容 TSV 晶圆级封装金属化流程。腔体具备独立温控水冷回路，保障长时间溅射工况下腔体热稳定性，内置等离子体状态、腔体真空度实时监测模块。
针对二手腔体日常保养，需定期执行 Chamber Wet Clean（腔体湿法清洗），清除腔壁 Cu 沉积物；周期性校验电磁线圈磁场均匀性、射频电源输出稳定性；检查密封 O-Ring 气密性，避免微小泄漏影响本底真空；靶材更换时规范屏蔽罩安装，控制微粒（Particle）水平；闲置阶段维持低真空保存，防止内壁氧化。持续追踪腔体内薄膜厚度均匀性、沉积速率波动，及时开展部件预防性更换。
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