本设备为半导体 PECVD、干法 Etch、腔体 Plasma Clean 专用 RF Plasma Generator 等离子射频发生器，标准输出频率 2.00MHz，频率精度 ±0.005%，额定连续输出功率 5000W，功率可调区间 10W~5000W；功率稳定度＞500W 时误差低于 2.0%，小功率段误差控制 ±5W 以内，谐波失真＜-40dBc，杂散辐射＜-50dBc，适配全范围等离子负载阻抗，失配保护 0.25ms 快速切断射频输出。
电气输入为三相 AC200/208V，单相位额定电流 32A，水冷散热最低冷却水流量 7.6LPM，适配 5℃~35℃进水温度；射频输出接口为 HN 高压同轴接头，整机 19 英寸机柜式安装，外形尺寸 221mm×483mm×560mm，自重 41.3kg，标配 RS232 串口通讯，内置过压 OVP、过流 OCP、超温 OTP、水流缺失多级联锁保护，原厂 MTBF 达 43000 小时。
二手设备分级保养规范：每日巡检冷却水流量、管路渗漏，空载检测正向与反射功率基线；每周吹扫水冷散热翅片，紧固 HN 射频接头；每月断电清洁功放主板，复测频率与功率输出精度；季度更换水路氟橡胶密封垫圈，完成整机绝缘耐压测试；年度酸洗水冷管路，满功率 24 小时老化校准，改善功率漂移、散热衰减、电弧误触发等故障。
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