本设备为应用材料 Centura AP 平台 300mm Plasma Etcher 等离子体刻蚀机，适配 12 英寸标准硅基晶圆干法刻蚀制程，兼容多晶硅 Poly Etch、介质 Dielectric Etch、金属 Metal Etch 等多种工艺腔体配置，是半导体前道制程主流量产刻蚀设备。整机采用集群式模块化架构，标配 3 组 Loadport 装载端口，适配 FOUP 标准晶圆片盒（SEMI E47.1 规范，单盒 25 片），中央传输腔室搭载 Accelerator 高速机械臂，晶圆传输节拍快，量产产能优异。
腔体内部搭载 Electrostatic Chuck 静电卡盘晶圆吸附系统，配套多通道射频 RF 电源组，支持 2MHz、13.56MHz、27MHz 等多频段等离子体激励，可实现高深宽比 HAR 接触孔刻蚀、栅极刻蚀、硬掩模开槽等精细制程；腔室采用钇涂层耐腐蚀工艺内壁，低颗粒 Particle 管控，工艺均匀性满足量产良率要求。系统集成 EyeD 全光谱 Endpoint 端点检测系统，支持 SECS/GEM/CIM 产线通讯协议，以太网 100Base-Tx 硬件接口，可对接 Fab 自动化产线主控。设备配套涡轮分子泵高真空系统、PCW 工艺冷却水循环、MFC 质量流量计气体输送单元，满足连续量产运行需求。
二手设备分级保养规范：每日巡检真空腔室压力基线、射频功率反射值，检查 MFC 气体流量稳定性，记录端点检测信号噪声水平；每周清理 Loadport 装载台粉尘，校验机械臂原点定位，更换粗抽泵油；每月拆解狭缝阀清洁密封面，检测 ESC 静电卡盘吸附力，校准 MFC 流量精度；季度更换涡轮泵轴承润滑脂，检测腔室涂层腐蚀状况，复测工艺均匀性；年度整机真空检漏，更换老化密封件，全面校准射频匹配网络与端点检测系统，修复刻蚀速率漂移、颗粒超标、真空泄漏等二手设备典
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