东京电子（TOKYO ELECTRON, TEL）VCM-50-003L真空腔体（Vacuum Chamber）是半导体刻蚀（Etching）、薄膜沉积（Thin Film Deposition）设备的核心工艺腔体，适配8英寸晶圆（Wafer）制程，所有性能参数均源自设备原厂技术手册及公开设备招标公示资料，仅作技术交流，不做商业用途。

该腔体为高真空密闭工艺腔体（High Vacuum Sealed Chamber），基准工作真空度（Working Vacuum）可达1×10⁻⁷Pa，极限真空度（Ultimate Vacuum）≤8×10⁻⁸Pa，压力稳定精度（Pressure Stability）±0.5%FS，可规避工艺气体扰动造成的制程偏差。腔体适配工艺温度区间25℃–450℃，温度均匀性（Temperature Uniformity）≤±1.5℃，满足半导体精密制程温控要求。其标准腔体容积50L，法兰密封面采用高纯铝合金材质，平面度精度≤2μm，保障真空密封（Vacuum Sealing）稳定性。

针对二手设备运维，专属保养方法如下：定期拆解清洗腔体内部沉积物（Process Deposition），每季度检测密封圈（Sealing Ring）老化形变情况；每月校准真空检漏（Vacuum Leak Detection），确保漏率≤5×10⁻⁹Pa·m³/s；长期停机需充入高纯氮气（High-purity Nitrogen）封存，避免内壁氧化污染。

该腔体结构兼容性强、真空性能稳定，经合规保养后可完全满足二手半导体设备量产复用标准。

海翔科技 专业提供全球二手半导体设备。

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