TOKYO ELECTRON AT LIMIED 的原子层沉积设备 NT333 - H1 - 2A - 3A - B - SN，用于在半导体制造中，通过精确控制的原子层沉积技术，在晶圆表面逐层生长高质量的薄膜，以形成半导体器件的绝缘层、导电层等关键结构。