东京电子（TEL）的 Trias TB TR2 S2J T3 薄膜沉积设备专为半导体制造设计，集成化学气相沉积（CVD）与原子层沉积（ALD）技术，可在晶圆表面均匀沉积金属、氧化物及氮化物等薄膜材料，支持 200mm/300mm 晶圆的高精度工艺。设备具备多腔室协同作业能力，通过智能气体流量控制与温度管理，实现纳米级厚度精度及优异的台阶覆盖性能。主要应用于逻辑芯片、存储器件（如 3D NAND）、先进封装（Fan-Out/SiP）及功率半导体（SiC/GaN）的量产，尤其在 5G 射频器件、AI 芯片及汽车电子领域表现突出，可显著提升制程良率与可靠性。