VARIAN/VEECO GEN II分子束外延（MBE）设备是一种高度先进的多用户沉积系统，用于掺杂和沉积各种半导体材料。这种最先进的MBE装置能够精确控制沉积环境，从而实现高质量的层，具有极好的可重复性。这台机器允许沉积高质量、均匀的半导体材料层，如砷化氙和砷化氘。沉积过程在真空室中进行，在真空室中，要沉积的基板放在加热的支架上。凯撒制造的三种喷射细胞与工具一起使用；一个砷、一个移植物，以及一个移植物。这三个单元的组合使用户可以灵活地创建复杂和特殊的薄膜结构。MBE资产的底压维持在4-6 x 10-7 mbar，并采用单独的负载锁定模型进一步降低压力，然后再插入真空室。此外，该设备还包含一个热氧化装置、一个臭氧发生器和两条氮管线，以协助表面制备和生长增强。基板支架采用电加热，用一系列热电偶控制温度，允许样品所有区域温度均匀，从而为薄膜沉积提供精确控制。预置温度在200 K至1,000 K之间。此外，VEECO GEN II设备配备了最先进的软件包，为控制源排放和沉积过程提供了多种有用的功能。该软件包括一套用于模拟增长过程、定义层结构和执行各种参数计算的综合工具。使用强大的参数化优化功能，用户还可以开发其薄膜结构的详细模拟，使他们能够最大限度地提高样品的性能。它还允许用户创建图形用户界面，以便为他们提供设置和监控实验的便捷方式。VARIAN GEN II MBE系统的设计满足了广泛的科学和工业要求,使用户能够将其研究应用提升到一个新的水平。这个先进的单元能够产生高质量的结果，并提供了灵活分配不同的材料，原子按原子，以便创建复杂的薄膜结构。