分子束外延技术（MBE）是一种用于制造半导体器件和光伏的物理气相沉积（PVD）方法。它允许工程师和科学家在原子水平上控制薄膜材料的分子结构。RIBER 302 MBE设备是一种现代沉积机，用于制造物理层材料，用于现代半导体器件。302 MBE系统在真空室中运行,需要高度的过程控制。真空室内部是一个包含多种物质来源的基板支架，包括分子积液细胞、石英船和电子束蒸发器。另外，RIBER 302 MBE单元包括了多种气源，如氢、氙、氮和氧。这允许在沉积过程中发生复杂的反应过程。沉积过程从单层原子开始，这些原子已被基板支架激活。然后以大约1毫米/秒的速度在底物上扫描分子源。一束分子被引导到底物表面，分子粘附并形成薄膜层。一旦第一层成功完成，第二层就会沉积在上面。重复此过程以形成所需的材料结构。通常，沉积的层数取决于需要得到的具体材料及其特性。302 MBE机是工具设计者创造高质量、先进半导体器件和光伏的关键设备。该资产配有射频溅射源，允许金属沉积在半导体晶片上。这样可以在各种设备中实现更高的韧性和更好的性能。此外，RIBER 302 MBE模型配备了激光干涉仪，用于测量制作蚀刻结构时材料层的厚度。该设备还可以与光学发射光谱仪串联使用，用于确保薄膜的纯度。302 MBE系统是为制造和设计半导体器件而设计的极其精确和复杂的仪器。它允许工程师对各种材料进行试验，并在原子水平上形成完美的结构。此外，该装置还配备了一系列气体和物质来源，以便在沉积过程中发生更复杂的反应过程。最终，RIBER 302 MBE机器允许高效制造高质量、先进的半导体器件和光伏。