VARIAN/VEECO GEN II是为半导体材料科学领域的先进研发而设计的分子束外延（MBE）设备的一种精密形式。这台机器提供了从单个原子到复杂分子的纳米级材料层生长的精确控制。该系统能够以最大的均匀性和可控性执行多原子逐层生长过程。该单元的核心是MBE单元，它被分成两个独立的腔室。第一室是样品持有者，或基板持有者，其设计是为了安全地容纳各种各样的基本基板类型，包括晶圆，基板，外延层和其他材料。然后将样品支架加热到所需温度，并用热电偶进行监测。在MBE电池内部,基板位于超高真空室中,由几个旋钮和开关管理,这些旋钮和开关用于调节压力、温度和流量等参数。第二室包含若干气体源，用于制造外延过程所需的各种材料。这些来源可以包括元素来源，如砷和磷，以及更复杂分子如硒化氢的分子来源。气体然后被输送到样品储存室，通常是通过一个积液加热器，在那里它们暴露在基板上，可以用来生成复合层。该机还包含几个管理这些过程的MBE控制子系统，如热和压力控制系统、射频扫描阶段和自动调校（ATC）工具。ATC提供关于生长过程的全面反馈信息，并确保为每一层沉积建立适当的条件。总体而言，VEECO GEN II资产为半导体材料系统的先进研发提供了一个全面而精确的工具。该模型提供了对各种参数的优越控制，允许将复杂材料的生长控制到纳米级水平。凭借这种设备的先进功能，研究人员能够创造出可用于各种应用和研究领域的定制和精确的纳米结构。