分子束外延（MBE）是一种物理气相沉积（PVD）技术，用于晶体材料的薄膜生长。OXFORD/VG半导体OXD/VG SEMICON V90是一款用途广泛、可靠的MBE设备，通过热蒸发沉积和氧气透镜的方式运行，对生长薄膜材料非常有效。VG SEMICON/VG Semiconductor OXFORD V 90由工艺室和控制器单元两个主要组件组成。该工艺室与包含不同节俭材料的原子淋浴相连，包括有机物、金属和其他物质。该工艺室用作真空室，始终保持高纯度和低静压的环境。这个腔室还配备了一套传感器，以确保精确、恒定的增长速度。控制器单元作为用户控制系统的主界面。它配备了图形用户界面（GUI），允许手动或自动控制MBE增长参数。该单元具有多种用户友好的功能,例如数据记录、特定参数的自动校准以及保存配方的能力。用户还可以控制氧化物MBE生长的氧通量速率。OXFORD/VG SEMICON/VG Semiconductor VG SEMICON V 90具有广泛的真空泵，范围从涡轮分子型到低温离子泵。这种多功能性使各种MBE增长成为可能,包括复合材料和异质结构材料。而且，该机可用于不同类型的实验分析，如功率谱密度、I-V测量和X射线衍射。最后，OXFORD/VG半导体V90是一种高效可靠的MBE工具，用途广泛，易于使用。利用这一资产，用户能够高效、精确地执行各种不同的流程和分析。