CUSTOM/NEXGEN 440 S1 MBE设备是一个最先进的分子束外延系统，用于研究纤薄（厚度小于1 μ m）半导体膜的生长和表征。它是一种多用途、多障碍外延单元，具有可升级的配置，包括负载锁室、溅射套件、电子束枪、加热元件、源溷合模式双源沉积、超高空（UHV）集成机控制器等组件。该锁载室用于最大限度地减少气体的引入和污染，并在主真空室中保持稳定的特高压。这也允许在同一活动中沉积多个测试样本。溅射套件允许使用多口袋靶子研究钛金、银、钼金、钯金等金属。电子束枪也用于在需要时蒸发基材。此外，加热元件被用于帮助生长更复杂的结构，如双层，而双源沉积确保多合金结构的源溷合模式下沉积材料的精确组成和层轮廓。除此之外,CUSTOM 440 S1 MBE工具还利用了功能强大的UHV资产控制器。这样就可以自动操作和精确控制所有真空和沉积参数、数据记录、与时间有关的操作控制等等。这也为模型状态和材料沉积提供了实时参数监测，以确保准确的实验和准确的结果。此外，源-溷合模双源沉积能够更好地控制层形、温度、组成，并有助于进一步处理沉积材料，如各向异性蚀刻。而且，它也提供了更好的精度在成长的复杂结构如量子点。简而言之，NEXGEN 440 S1 MBE设备是一种先进的工具，用于研究薄膜的材料生长和表征。它采用多用途多障碍系统，配有集成的特高压控制器、各种加热部件、溅射套件和强大的电子束枪。凭借其精密的设计，它提供了对沉积参数和层的精确控制，并为沉积材料的蚀刻和操作提供了先进的工具。这使得它非常适合研发纳米设备和电子应用的材料。