VARIAN/VEECO GEN II分子束外延（MBE）设备是一种高性能的沉积系统，能够在晶圆上创建高质量的外延材料层。VEECO GEN II能够在III/V化合物半导体材料如磷化铵（InP）上製造半导体材料的薄层，如砷化氙（GaAs）。该单元采用高分辨率蒸发源和精确通量控制相结合的方式实现了这一目标，从而能够沉积厚度小于1纳米的外延层。VARIAN GEN II配备了两个独立的MBE电池，使得光电和其他半导体器件制造的不同层能够同时沉积。每个MBE电池有三个物料来源，每个物料来源都是独立配置的，以便将一种材料同时沉积到晶片或最多三种物料的组合中。这些源被独立加热至高达1000 °C的温度，MBE电池允许精确控制这些物种的通量，直到形成所需的层。GEN II配备了射频等离子体发生器和带有外部天线的电子回旋共振等离子体源。这些血浆源有助于实现更好的雾化和更高的沉积速率。这有助于减少MBE层所需的沉积时间，节省制造时间并提高生产效率。VARIAN/VEECO GEN II还包括一个高度精确的过程监控机器。这一工具允许在生长过程中同时监测若干物理和化学参数，确保整个过程保持精确的控制。这一资产使MBE过程得以准确进行，从而产生了高质量的外延层。VEECO GEN II配备了生长后清洁控制器，用于去除基板表面残留物质。该模型还包括一个用于在长达3英寸的基板上进行生长前和生长后处理的加热阶段，以及用于监测和调节腔室压力及其他工艺参数的闭环自动反馈控制。VARIAN GEN II MBE设备是一种先进的、高度精确的外延沉积系统，能够可靠地生产高质量的外延层。该单元将高分辨率蒸发源的功率与精确的通量控制结合在一起，允许厚度降至一纳米以下的层生长。GEN II还包括一个高度精确的过程监视和控制机器，允许高度精确地进行MBE过程。生长后的清洁控制器和加热阶段有效地完成了生长过程，有助于保持外延层生产的高产。